”。
研究所的人离开后，李怀德现在才释放出他内心的激动。边在房间里走动，边挥舞着右手，左手却擦在腰上。
他没有说出的是，只有半导体实验室在，只要李国成在，他的官途也是一片坦途。
回到实验室的李国成陷入了深思。
后世非易失性存储器的发展思路，是从PROM开始，到EPROM，再到现在的EEPROM。
PROM只能写入一次。
EPROM可通过特定强度的紫外线照射芯片使其还原。就是大家见过的，在芯片的表面开一个窗口，用于紫外线擦除。
EEPROM是电可擦写只读存储器，是现在的主流应用，NOR FLASH和NAND FLASH归类到这个大类里。
NOR FLASH读取速度快，单位成本高，可直接运行代码，更偏向于片内代码存储。
NAND FLASH容量大，读取速度较慢，单位成本低，更偏向于大容量存储，但是容易出错，需要配合安全算法。
U盘就是NAND FLASH。
前身上大学的时候学习过PMOS、NMOS和浮栅MOS的制造原理，对PROM和EPROM没有了解。而且既然知道后世的发展方向，所以李国成选择直接研究NOR FLASH。
主要的原因是NOR FLASH更适合放入芯片内部，以后芯片内部直接设计程序存储FLASH。
FLASH原理比较简单，在G极和D/S沟道之间加入一个浮栅，浮栅类似一个被绝缘体包裹的电极，在浮栅上注入电荷，D/S沟道导通，代表‘0’；放电，D/S沟道关闭，代表‘1’。
因为浮栅绝缘，所以电荷不易丢失。
李国成之前没有选择研究FLASH，主要原因是对如何在PMOS上植入一个浮栅没有思路，但是现在绕不过去，只能硬着头皮上了。
接下来的时间，李国成主要的工作就是研究如何植入浮栅。
李国成构思了几个方案，脑海仿真不通过放弃了3个，剩下两个实际生产中放弃。
生产放弃的比如封装时植入绝缘层，然后再植入一个电极。实际操作时，无法满足工业化生产，工序太复杂，对人的操作能力要求太高。
时间很快就过去10天，无计可施的李国成溜达到光刻间，看着张头正在氧化晶圆。看着看着，突然笑了起来，真是得了全不费功夫。
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